電子發燒友報道(文/程文智)2020年還有幾天就將結束,這一年是下一個十年的開局之年,可這個開局并不完美。年初的新冠疫情幾乎打亂了所有行業的發展節奏,全年的中美貿易沖突讓很多國家和地區也深受影響。不過技術的創新依然在向前發展,5G如期而至、人工智能開始落地、自動駕駛也在穩步推進、SpaceX升級版貨運龍飛船首飛成功、中國嫦娥五號“攬月”而歸等等。
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在這些科技事件的背后,有一個產品在默默提供支持,那就是MCU。而今年的MCU行業也不平靜,比如給大多數MCU企業提供IP核的Arm公司賣身Nvidia、MCU缺貨與漲價之聲從年初延續到了年底、RISC-V內核的MCU開始多了起來……,為此,<電子發燒友>特意盤點了2020年MCU行業發生的十大事件,供大家回顧。
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一、MCU缺貨漲價潮從年初延續到了年尾
2020年12月份,多家MCU廠商都宣布漲價。ST在前幾天正式發布了漲價通知,2021年1月1日起,全線產品漲價;在ST宣布漲價之前,盛群(合泰)、凌通、松翰、閎康、新唐這五大臺灣MCU廠商也公開稱因成本上漲,同步調升產品報價,部分品項調幅超過10%,且有產品交期甚至拉長至10個月。另外,日本MCU廠商瑞薩電子也在不久前發布了漲價通知,交期拉長至4個月以上。
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MCU缺貨漲價的原因可能有以下幾個:
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一是,從晶圓到芯片出貨時間周期約要半年。一個芯片從設計、制造、封裝、測試,再到出貨,其實是需要很長一段時間的。即使不算設計和試產的時間,拿一個使用成熟工藝的成熟芯片來說,從晶圓制造開始,到封裝測試,再到出貨,一般也需要半年左右的時間。因此,芯片原廠都是按照訂單排期,預先安排產能的,畢竟晶圓備貨都是需要真金白銀的,要是備貨太多沒賣出去對原廠的傷害也很大。
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二是,芯片原廠減少了晶圓備貨。今年年初的新冠疫情,突入其來,一時間各行各業都受到了影響,不少工廠停工,貿易也受阻,不少企業裁員的裁員,減少支出的減少支出,上半年時,大家對未來預期普遍都不看好。原廠看到這種情況后,在上半年做計劃的時候,不約而同地都選擇了減少晶圓備貨,據說有的原廠減少了1/3以上的備貨。
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三是,華為受到美國政府的打壓,導致華為在晶圓代工廠加大了訂單,導致國內6、7、8月份國內的主要封裝家工廠訂單基本都是以華為為主,國內其他的半導體廠商基本很難拿到產能。只能往后排。
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四是,由于中美貿易沖突的問題,華為受美國影響較大,華為很多芯片類產品因為制裁原因不能生產了,比如華為的麒麟處理器芯片,智能電視用的鴻鵠芯片、安防芯片、服務器存儲芯片、巴龍系列芯片等等。
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特別是安防使用的IPC SoC芯片,華為之前在這塊市場占了70%以上的份額,現在一下子都不能生產了,但是市場需求卻沒有變小,這就需要其他企業的產品來填補這塊市場。因此,國內其他企業紛紛下單給晶圓代工廠,但這類芯片很多都是新進入的企業的新設計方案,流片試產都需要占用晶圓代工廠的產線,新芯片良率提升往往需要時間,現在這些新增的產品將會大大降低晶圓代工廠和封裝廠的生產效率,出貨緩慢。
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五是,國內電子行業在下半年開始整體恢復,特別是海外市場,上半年積壓的海外訂單一下子全爆發了,但是很多工廠在上半年的時候基本沒有備貨。一時間訂單暴增,芯片原廠之前的產能難以滿足需求。
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六是,晶圓代工廠在淡季的時候一般會把產線給MOSFET這類利潤比較低的產品,但一旦到了旺季,一般都會讓步給利潤高的IC,下半年國內和國外都是旺季。因此,很多MOSFET和利潤不高的MCU等產品,比較難拿到產能。
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七是國內新基建和信創產業需求大漲,原來削減了備貨計劃的原廠又開始加大備貨了,開始給晶圓廠下大訂單,這樣在大客戶擠壓的擠壓下,小訂單新客戶,以及小客戶的需求排期往往被延期。
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也正是在這些多重因素疊加,半導體市場開始了產能緊張,貨源緊張的情況,再加上晶圓代工廠和封裝廠漲價的因素影響,芯片原廠也不得不調高芯片價格。
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二、NVIDIA 400億美元收購Arm
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9月14日,英偉達(NVIDIA)與軟銀集團(SoftBank)宣布達成一項最終協議,根據該協議,英偉達將以400億美元的價格從軟銀集團和其旗下的愿景基金(Vision Fund)收購英國芯片設計子公司Arm。
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根據協議,英偉達將向軟銀集團支付120億美元的現金,以及價值215億美元的英偉達股票,其中還包括簽約時,即刻支付的20億美元。
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雙方在聯合聲明中表示,如果Arm未來的業績表現達到特定目標,軟銀還可能獲得額外的50億美元現金或股票。在收購之后,英偉達還將向Arm員工發行15億美元的股本。
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如果英偉達成功收購Arm,這將是今年以來規模最大的并購交易之一,也可能是有史以來最大的半導體交易。
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收購Arm將改變英偉達目前過度依賴于GPU產品的現狀,通過此次收購,英偉達將可獲得更多移動CPU/GPU IP,將極大的豐富自己的產品線,并將使得英偉達可以進入移動處理器領域,同時有望將其在顯卡端的優勢延展到移動端。
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不過,由于英偉達本身與一些Arm現有客戶存在競爭關系,這也使得外界擔心英偉達收購Arm后會影響Arm的中立性,從而導致Arm的客戶轉向其競爭對手RISC-V。
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三、RISC-V架構的MCU玩家越來越多
10月份時日本MCU廠商瑞薩電子宣布與RISC-V 架構嵌入式 CPU 內核及相關 SoC 開發環境的供應商——Andes Technology 啟動技術IP合作。瑞薩選擇AndesCore 32位RISC-V CPU內核IP,應用于其全新的專用標準產品中,并將于2021年下半年開始為客戶提供樣片。
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12月份,中微半導體(深圳)股份有限公司(簡稱CMSemicon),宣布正式發布首款集成RISC-V內核的32位微控制器-ANT32RV56xx。該系列芯片搭載芯來科技(Nuclei System Technology) N100系列超低功耗RISC-V處理器內核,集成模擬外設并簡化設計,輕松應對消費電子對高算力、低功耗的要求。
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同樣也是在12月,中科藍訊也推出了起自主RISC-V內核32位MCU芯片------藍訊驕龍AB32VG1,該MCU提供了125MHz的運算主頻(最高可超頻至192MHz),片上集成RAM 192Kbyte,Flash 1Mbyte,ADC,DAC,PWM,USB,SD, UART,I2C等資源。藍訊驕龍AB32VG1評估板將同步推出,并提供完整的SDK,開發者可使用免費的RT-Thread Studio集成開發環境快速上手,并便捷的完成代碼編寫、編譯、調試、程序燒寫等一系列開發流程。
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在他們之前兆易創新與在2019年時就推出了RISC-V內核的MCU產品,平頭哥推出并開源了其RISC-V芯片設計平臺。
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可以看得出來,逐漸開始有越來越多的玩家加入RISC-V陣營,RISC-V的生態也開始變得豐富起來,未來,RISC-V不僅僅會獲得關注,更會獲得更大的發展。
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四、車規級MCU需求增長
12月4日,有媒體報道稱半導體產業產能緊張問題傳導至汽車產業,由于缺少汽車芯片導致ESP(電子穩定程序系統)和ECU(電子控制單元)兩大模塊,上汽大眾和一汽大眾將面臨停產風險。
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雖然12月5日,一汽大眾就做出了回應,稱新車生產確實受到了一定的影響,但并沒有如外界傳言的那樣全面停產。從回應中,可以看處,汽車級芯片短缺是確確實實存在的。
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車規級芯片可分為MCU、存儲芯片、功率器件(IGBT和MOSFET) 、ISP、電源管理芯片、射頻器件、傳感器(CIS、加速傳感器等)、GPU/ASIC/FPGA/AI芯片等。
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2020年,全球車規級芯片市場規模預計為3000億人民幣,占全球半導體市場份額約10%。據測算,未來車規級芯片單車價值將從2800元提升到12000元。
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比如在MCU方面,傳統汽車平均每輛車用到70顆以上的MCU芯片,而每輛智能汽車有望采用超過300顆MCU。車規級MCU的需求將大幅提升。
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另外,全球車規級芯片企業主要包括恩智浦、英飛凌、瑞薩、德州儀器、意法半導體等,前八大公司市占率達63%。目前車規級芯片市場主要被國外廠商占據,國產替代空間巨大。
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五、AI與MCU相結合的趨勢越來越明顯
2020年8月,恩智浦(NXP)發布了eIQ機器學習(ML)軟件對Glow神經網絡(NN)編譯器的支持功能,針對恩智浦的i.MX RT跨界MCU,帶來業界首個實現以較低存儲器占用提供更高性能的神經網絡編譯器應用。Glow編譯器由Facebook開發,能夠集成特定于目標的優化,恩智浦利用這種能力,使用適用于Arm Cortex-M內核和Cadence Tensilica HiFi 4 DSP的神經網絡算子庫,最大程度地提升i.MX RT685以及i.MX RT1050和RT1060的推理性能。此外,此功能已集成到恩智浦的eIQ機器學習軟件開發環境中,在恩智浦的MCUXpresso SDK中免費提供。
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ST在2019年就推出了STM32Cube.AI工具包能夠與流行的深度學習庫進行互操作,將任何人工神經網絡轉換并應用于STM32微控制器(MCU)。Cube.AI工具是CubeMX的AI擴展包,可以在CubeMX內下載或者單獨下載。
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STM32Cube.AI支持的神經網絡模型框架有Lasagne、Keras、Caffe、ConvNetJs、Tensorflow Lite、可以導出為ONNX標準的框架(PyTorch?,Microsoft? Cognitive Toolkit, MATLAB? 以及更多)。
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12月,國產物聯網操作系統RT-Thread在其開發者大會上推出了面向開發者的端側AI開發套件AI Kit,幫忙解決端側部署AI的碎片化問題,該工具采用開放式的架構,通過工具側的平臺搭建,把從上游的模型到具體的硬件平臺用的引擎和運行庫順暢地整合到一起變成一個RT-Thread的整合框架工程。因此,RT-Thread的AI kit可以一鍵部署而無需了解處理器優化方法,開發者可以把大部分的精力放到產品研發上。
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六、國產MCU出貨大增
據北京兆易創新科技公司市場總監金光一介紹,從2013年到2019年,GD32出貨量持續攀升,年復合增長率達到201%,反映產品持續發展勢頭,持續為物聯網領域智能硬件的發展助力。截至到2020年10月,MCU的出貨量已經超過1.5億顆,公司已經累計出貨5億顆MCU產品,客戶數量超過2萬家,MCU已經成為兆易創新占比第二高的產品。
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華大半導體有限公司張建文在曾在公開場合透露,華大還提供了中國ETC系統中車載OBU設備需求的MCU,50%的需求量。2020年從疫情爆發到11月份,華大至少為市場提供了2500萬顆測溫儀芯片。
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除了這兩家,靈動微電子、國民技術、極海半導體、航順、中微半導體等MCU廠商在今年的出貨量也都增加了不少。
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七、Arm中國“星辰”處理器量產
7月,安謀中國(Arm中國)發布了首顆面向中國本土的處理器——“星辰”處理器(STAR-MC1)的研發過程、特點以及落地情況。目前,該處理器已正式進入商用階段。
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STAR-MC1作為“星辰”系列產品的第一款產品,支持現有的Armv8-M架構的所有特點以及最新的指令擴展。根據安謀中國產品研發副總裁劉澍的說法,該款處理器是一款非常緊耦合性的高效微處理器,性能達到1.5DMIPS/ MHz -4.02Coremark/MHz,同時繼承Armv7和Armv8結構的DSP指令和浮點計算單元。同上一代Arm處理器相比較,在同一主頻下,這些新結構體系的升級可以使STAR-MC1的性能提升20%。
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八、MCU玩跨界
3月,恩智浦半導體宣布i.MX RT600跨界微控制器(MCU)上市,這是一款面向音頻、語音和機器學習等超低功耗、安全邊緣應用的理想解決方案。i.MX RT600跨界MCU在功耗、性能和存儲器方面具有顯著特點。主要包括:
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主頻高達 300MHz 的Arm? Cortex?-M33內核。
可選的Cadence? Tensilica? HiFi 4 音頻、語音數字信號處理器(DSP)。運行主頻高達 600MHz,并支持四組 32x32 MAC。
多達4.5MB 片上 SRAM,支持關鍵指令和數據的“零等待”訪問。
28nm FD-SIO (耗盡型絕緣硅)工藝,提供更低的工作電流和漏電流。
內置恩智浦卓越的嵌入式安全技術 - EdgeLock 400A。
可使用 Glow 神經網絡編譯器,優化機器學習性能。
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ST也跨界推出STM32MP1,這是第一顆通用型STM32 MPU,雙核Cortex-A + Cortex-M的多核架構,算力更強;靈活的架構可以滿足高性能、硬實時、低功耗和安全性的性能;同時,還傳承了 STM32 的生態系統,不僅有多種硬件開發板、三類軟件開發包等,并可將之前基于M4的控制移植到MP1上,從而加快產品開發進度。
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九、無線MCU的進擊之路
作為STM32 RF 連接產品組合的補充,STM32WL 片上系統在同一芯片上集成了通用微控制器和 sub-GHz 無線控制單元,是世界上第一顆將LoRa收發器集成到SoC芯片上的無線微控制器。之前,市場上的LoRa無線解決方案,要么是分立的微控制器和收發器,要么是兩個組件使用同一封裝,但使用不同的裸片,即系統級封裝。STM32WL通過實現更簡單、更靈活、更高集成度和更節能的設計,賦能物聯網應用。
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今年10月,STM32WB無線MCU產品線再添新丁,STM32WB55的低成本版本STM32WB35/30將性價比推向極致。
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在成本方面,STM32WB55/50相比,STM32WB35的成本更低。STM32WB30則是成本最低的ST藍牙+ 802.15.4解決方案。
在外設方面,同STM32WB55相比,STM32WB35沒有LCD;
在射頻方面,STM32WB55支持動態多協議, STM32WB35/50/30 只支持某一種協議;
在封裝方面,STM32WB55封裝類型最多,STM32WB35/50/30只有QFN48,且和STM32WB55 QFN48 pin 2 pin兼容。
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今年7月,恩智浦宣布MCUXpresso支持其Wi-Fi?/藍牙?組合解決方案和i.MX RT MCU跨界處理器,從而大幅簡化產品開發。借助這種全新的集成能力,恩智浦擴展了EdgeVerse? 邊緣計算和安全平臺的連接能力。
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通過在MCUXpresso SDK中預先集成驅動程序支持,恩智浦為開發人員提供靈活且可擴展的平臺,以幫助加快實現合規、大幅縮短產品上市時間并簡化Wi-Fi或Wi-Fi/藍牙組合的部署。這些新平臺使MCU、Wi-Fi或Wi-Fi/藍牙組合設備的強強聯手成為可能,從而幫助開發人員靈活地滿足物聯網、工業、汽車和通信基礎設施應用的性能與功耗的要求。
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十、MCU應用百花齊放
從IC Insights在今年8月份發布的一份報告來看,2019年,全球MCU市場的規模約為160億美元,由于受新冠疫情的影響,預計今年會下滑到149億美元,下降幅度為6%左右。但在國內,MCU市場規模其實是增長的,國內的MCU企業在上半年的出貨量基本都實現了正增長。
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其實國內MCU的市場規模也不小,據統計國內2019年的市場規模是366億元,預計到2024年可以達到484億元,只是國產MCU產品的市場占有率還不高。在國民技術的鐘新利表示,全球來看8位MCU和32位MCU各占一半的樣子,但國內主要還是以8位MCU為主,32位MCU目前還處于追趕階段,增長趨勢比較明顯。
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極海半導體的劉濤也持相同觀點,但他給出了另一個數字,那就是國產MCU產品的市占率目前占比還不高,在國內市場,國產MCU的市占率不足10%,工業類國產MCU不到5%,汽車類的國產MCU占比更低,他估計不到1%。
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其實近幾年來,國產MCU企業的出貨量是在穩步提升的,根據<電子發燒友>的觀察,國內MCU企業出貨量出現正增長的原因,主要是有以下五個因素的驅動,給MCU市場帶來了新的增長動力。
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首先是,5G和物聯網的發展帶動了智能家居的興起;
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二是家電MCU更新換代,讓MCU市場的規模得到增長;
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三是電動行車新國標的落地,加上疫情的影響,電動自行車市場迎來的新的增長機會。比如說在歐洲,由于政府的補貼和疫情期間公共交通的不方便,很多人都選擇了電動自行車出行,刺激了國內電動自行車的出口;
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四是鋰電池管理芯片應用越來越多地用到MCU;
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五是中美貿易戰,讓越來越多的國內系統廠商更加傾向于使用國內的芯片產品。
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在劉濤看來,前面提到的需求是一方面,二是國內MCU企業已經具備了32位MCU的開發能力,不僅能夠開發M0、M3、M4的開發能力,也具備了M7、A7,以及A9等高端MCU的開發能力;三是國內的購買力比之前也提升了,他舉例說,現在的人們就連購買風扇也會首先考慮購買直流變頻風扇了,而直流變頻風扇就需要MCU的支持。
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結語
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從MCU行業的這些事件中可以看處,目前來看MCU前景一片大好,希望所有國內的MCU企業好好琢磨,做好MCU、把中國的芯片技術做到世界領先水平。
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發表于 12-24 06:47 ?
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近日,ST突然發布漲價通知,消息一經發出,引起大量的轉發。 通知表示,受新冠疫情影響,ST原材料供應....
玩轉單片機 發表于 12-23 18:10
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流量測量是研究物質量變的科學,質量互變規律是事物聯系發展的基本規律。因此,其測量對象已不限于傳統意義....
牽手一起夢 發表于 12-23 15:50
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以硅基材料作為封裝基板技術,近幾年逐漸從半導體業界引進到業界。硅基板的導熱性能與熱膨脹性能都表明了硅....
牽手一起夢 發表于 12-23 14:53
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青島西海岸新區國際招商消息顯示,青島半導體高端封測項目總投資10億元,是2020年青島市、區兩級重點....
電子魔法師 發表于 12-23 14:01
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累計出貨超過數億顆,上海芯旺微完成 A 輪融資 天眼查顯示,近日,上海芯旺微電子技術有限公司近日完成....
從NuMicro?NUC505MCU線到耳機輸出的音頻源的延遲時間是多少? 原因是什么? ...
發表于 12-23 06:49 ?
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為何大多數MCU單片機工作電壓為5V?
發表于 12-22 07:35 ?
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RS13100無線MCU超低功耗雙模SoC器件
發表于 12-21 07:37 ?
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三大MCU產品實現市場高中低端全覆蓋
發表于 12-16 06:38 ?
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oelectronics標準和Snubberless?三端雙向可控硅可采用通孔或表面貼裝封裝,適用于通用電源交流開關。它們可以用作靜態繼電器、加熱調節或感應電機啟動電路等應用的開/關功能。由于Snubberless版本具有高換向性能,特別推薦用于感性負載。
特性
中等电流三端双向可控硅
夹子结合,热阻低
用于绝缘BTA的低热阻绝缘陶瓷
BTA系列UL1557认证(文件参考号:81734)
高换向 (4Q) 或非常高换向 (3Q, Snubberless™) 能力
封装符合RoHS (2002/95/EC) 指令
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發表于 11-20 09:07 ?
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oelectronics LED1642GW 16通道LED驅動器是低電壓40mA、16通道驅動器,設計用于LED面板顯示屏。LED1642GW確保20V的輸出驅動能力,用戶可以以串聯方式連接若干個LED。在輸出級,16個穩壓電流源提供從3mA到40mA的恒定電流,來驅動LED。電流通過外部電阻器進行設定,并可以由一個7位電流增益寄存器在兩個子范圍進行調整。各通道亮度可通過12/16位灰階控制分開進行調整。電源電壓范圍從3V到5.5V。
特性
16個恒定電流輸出通道
輸出電流:從3mA到40mA
電流可編程通過外部電阻
兩個范圍內的7位全局電流增益調整
12/16位PWM灰度亮度控制
可編程輸出開啟/關閉時間
錯誤檢測模式(打開和短路-LED)
可編程短路LED檢測閾值
自動節電/自動喚醒
可選擇的SDO同步在CLK下降邊緣
拉杜爾輸出延遲(可選)
供電電壓:3V至5.5V
熱停機和超溫報警
30MHz 4線接口
20V電流發生器分級電壓
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發表于 11-13 09:07 ?
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relectronics STLUX385A 數字 LED 照明驅動器是 ST MASTERLUX? 數字器件系列產品,專門用于照明和電源轉換。STLUX385A 成功集成了多種架構和應用,從用于 LED 驅動的簡單降壓轉換器、用于功率因數校正的升壓轉換器、用于可調光 LED 燈串的半橋諧振轉換器,一直到 HID 燈鎮流器中的全橋控制、無線電源充電器及電視電源等各種應用。
SMED
SMED是由內部或外部事件觸發的硬件狀態機。 例如,在電源應用中,SMED可以關閉調節回路,當它檢測到過流或短路時自動關閉電路,從而保護電路。 由于SMED是嵌入的,它們保證了比標準中斷驅動微處理器提供的事件反應時間短。
特性
6SMED控制的PWM提供任何功率轉換階段(狀態機事件驅動)的完全控制)
集成DALI(數字可尋址照明接口),實現控制、通信和監控功能
集成數字核心,使STLUX易于使用和可編程
新的...
發表于 11-11 09:07 ?
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oelectronics無刷電機驅動器是采用三相橋式配置的功率驅動器。其中包括用于霍爾效應傳感器、PWM電流控制器和微控制器、DSP或FPGA的內置解碼邏輯。這些器件包括針對過熱、過流和欠壓條件的保護和診斷特性。這樣即可實現穩健可靠的設計。這些驅動器采用多種節省空間的散熱增強型封裝。STSPIN 3相BLDC電機驅動器IC為電機和運動控制提供了即用型解決方案。
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特色产品
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發表于 11-10 09:07 ?
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oelectronics LDK220 低壓差穩壓器以 2.5V 到 13.2V 范圍的輸入電壓,提供 最大為 200mA 的輸出電流 ,而典型壓差僅為 100mV。它通過 輸出上的陶瓷電容保持穩定。啟用邏輯控制功能 可將 LDK220 置于關閉模式,從而實現 低于 1μA 的總電流消耗。該器件還包含短路恒定 電流限制和熱保護。 LDK220 極低的壓降、低靜態電流和低噪聲的特性,使其非常適合電池供電應用。
特性
輸入電壓從2.5到13.2V
非常低的下降電壓(100米V型。 @100米負荷)
Low quiescent current (typ. 40μA, 1μA in off mode)
低噪音
Output voltage tolerance: ±2.0% @ 25°C
保證輸出電流200mA
可根據要求提供寬范圍的輸出電壓:從1.2V固定到12V,有100MV的步進和可調
邏輯控制的電子關機
Compatible with ceramic capacitor COUT = 1μF
內部電流和熱極限
可在SOT23-5L、SOT323-5L和DFN6-1.2x1.3包中使用
Temperature range: -40°C to 125°C
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發表于 11-09 12:07 ?
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oelectronics STPSC 650V肖特基碳化硅二極管是一款超高性能功率肖特基二極管。該器件采用寬帶隙材料,可以設計具有650V額定電壓的肖特基二極管結構。得益于肖特基結構,在關閉時不會顯示恢復,且振鈴模式可以忽略不計。即使是最輕微的電容式關斷特性也不受溫度影響。這些器件特別適用于PFC應用,它們可以提高硬開關條件下的性能。高正向浪涌能力確保在瞬態階段具有良好的穩健性。
STPSC12065-Y和STPSC20065-Y器件符合AEC-Q101标准,可用于汽车应用。STPSC12065-Y和STPSC20065-Y是支持PPAP且符合ECOPACK®2标准的元件。
特性
无反向恢复或可忽略不&...
發表于 11-09 12:07 ?
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oelectronics PWD5F60高密度功率驅動器在單一緊湊型系統級封裝 (SiP) 中集成了柵極驅動器和四個N通道功率MOSFET,采用雙半橋配置。集成式功率MOSFET的漏源導通電阻或RDS (ON) 為1.38Ω,漏源擊穿電壓為600V。嵌入式柵極驅動器的高側可方便地通過集成自舉二極管供電。PWD5F60功率驅動器的集成度高,因此能在空間受限的應用中高效地驅動負載。
PWD5F60接受在10V至20V宽范围内的电源电压 (VCC),在上、下驱动部分均具有欠压闭锁 (UVLO) 保护功能,以防电源开关在低效率或危险条件下工作。PWD5F60具有宽输入电压范围,因此可轻&...
發表于 11-09 12:07 ?
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oelectronics STM32L4P5/STM32L4Q5 32位微控制器 (MCU) 不僅擴展了超低功耗產品組合,還提高了產品性能,采用Arm? 樹皮-M4內核(具有DSP和浮點單元 (FPU),頻率為120MHz)。STM32L4P5產品組合具有512KB至1MB閃存,采用48-169引腳封裝。STM32L4Q5具有1MB閃存,提供額外加密加速器引擎(AES、HASH和PKA)。
特性
超低功率,灵活功率控制
电源:1.71V至3.6V
温度范围:-40°C至85°C或-40°C至125°C
批量采集模式(BAM)
VBAT模块中150nA:为RTC和32x32位储备寄存器供电
关断模式下,22nA(5个唤醒引脚ʌ...
發表于 11-06 09:07 ?
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oelectronics低靜態電流LDO線性穩壓器經過優化提供超低靜態電流 (I)。I比其供電的平均負載電流低,或者相當。該功能對于電力有限的應用非常有必要,例如電池供電的設備或長時間待機、符合環保標準的設備。這延長了電池壽命,降低了整體功耗。
这些低静态电流LDO稳压器非常适合用于便携式消费类电子设备,例如智能手机、智能手表、蓝牙耳机和可穿戴设备。工业、智能建筑和智能家居传感器还得益于超低静态电流(工作和禁用(待机) 模式下...
發表于 11-05 17:07 ?
16次
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oelectronics LD56100超低噪聲線性穩壓器在1.8-5.5V輸入電壓范圍內提供1A電流,典型壓差為120mV。LD56100采用DFN8 (1.2x1.6mm) 封裝,在最大程度上節約空間。該器件通過輸出上的陶瓷電容保持穩定。LD56100適合用于低功耗電池供電應用,具有超低壓差、低靜態電流、快速瞬態響應和內部軟啟動電路等功能。
特性
输入电压:1.8V至5.5V
超低压差(120mV典型值,1A负载和VOUT=3.3V时)
非常低的静态电流(无负载时的典型值为100μA,断开模式下典型值为0.03μA)
输出电压容差:±1%(-40°C至+85°C)
超低噪声ʍ...
發表于 11-05 17:07 ?
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半導體 VND70x0 車用高側驅動器是單或雙通道高側驅動器,采用 ST 專有 VIPower? M0-7 技術制造,并采用 SO-8、PowerSSO-12 和 PowerSSO-16 封裝形式。這些器件用于通過 3V 和 5V CMOS 兼容型接口驅動 12V 汽車接地負載。
特性
極低電壓操作,用于深冷分級應用
合格汽車
綜合的普遍的一般常規
單通道或雙通道智能高側驅動器與多感覺或電流感覺模擬反饋
非常低的待機電流
兼容3V和5VCMOS輸出
多感官診斷功能
多路/電流感知模擬反饋:高精度比例電流鏡負載電流、VCC電源電壓和TCHIP器件溫度
過載和短到地面(功率限制)指示
熱停機指示
OFF-狀態開負載檢測
輸出短到VCC檢測
感覺啟用/禁用
貿易保護措施(向歹徒繳納的)保護費
未壓縮關機
高壓鉗
負載電流限制
快速熱瞬變的自限制
具有專用故障復位引腳的超溫或功率限制的可配置閉鎖
地面損失和VCC損失
帶有外部組件的反向電池
靜電放電保護
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發表于 10-30 14:06 ?
24次
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oelectronics PWD13F60柵極驅動器是一款高密度電源驅動器和高壓全橋,帶集成柵極驅動器。PWD13F60器件接受電源電壓范圍廣,受低壓UVLO檢測保護。這些PWD13F60柵極驅動器電源系統級封裝和高壓功率MOSFET具有低R (320mΩ) 和600V漏源擊穿電壓。PWD13F60柵極驅動器輕松連接微控制器和DSP單位或霍爾效應傳感器,輸入引腳范圍廣。這些PWD13F60柵極驅動器還具有寬驅動器電源電壓、內部自舉二極管,輸出與輸入同步,讓設計更加靈活、簡單和快速。PWD13F60采用10mmx13mmx1.0mm VFQFPN封裝。典型應用包括工廠自動化、電機驅動器(用于工業和家用電器)、風扇和泵以及電源裝置。
特性
电力系统级封装集成栅极驱动器和高压功率MOSFET
低R DS(開啟)=320mΩ
BVDSS =600伏
适合用作
全桥
双独立半...
發表于 10-30 14:06 ?
30次
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oelectronics LDLN025 250mA超低噪聲LDO的輸入電壓范圍為1.5V至5.5V,250mA負載下的壓差極低。LDLN025可延長需要長待機時間應用的電池壽命。該LDO的靜態電流非常低,空載時僅12μA。LDLN025提供非常干凈的輸出,得益于其超低噪聲值和高電源抑制比 (PSRR) 特性,非常適合用于超敏感型負載。該LDO采用陶瓷電容器,因此性能穩定。
特性
超低输出噪声:6.5μ VRMS
工作输入电压范围:1.5V至5.5V
输出电流高达250mA
非常低的静态电流:空载时为12μA
超低压差:250mV (250mA)
极高PSRR:80dB@100Hz、60dB@100kHz
线路、负载和温度范围内...
發表于 10-30 14:06 ?
28次
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oelectronics LDL212 1.2A低壓降線性穩壓器IC可在2.5V至18V輸入電壓范圍內提供最大1.2A電流。LDL212在1.2A電流下的典型壓差值為350mV。LDL212適合用于在SMPS中實現直接穩壓和在直流-直流轉換器中實現二次線性穩壓。該 IC 在 120Hz 時具有 87dB 的高電源抑制比,100kHz 時為 40dB。LDL212 采用使能邏輯控制功能實現關斷模式,從而降低總電流消耗。該器件還具有限流、SOA和熱保護功能。
特性
输入电压范围:1.6V至5.5V
极低压差(1A负载下的典型值为300mV)
低静态电流(无负载时的典型值为35μA,断开模式下的典型值为1μA)
输出电压容差:±2...
發表于 10-30 11:06 ?
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oelectronics LED200x單片步進式DC-DC轉換器是850k Hz的轉換器,設計成精確的恒流源,可調節的電流能力可達4ADC。 嵌入式PWM調光電路提供LED亮度控制。 由于高開關頻率和陶瓷輸出電容兼容性,整體應用的尺寸被最小化。 器保護,防止熱過熱,過流和輸出短路。
特性
3V到18V工作輸入電壓范圍
850千赫茲固定開關頻率
100mV類型。 電流感電壓下降
PWM調光
± 7% output current accuracy
同步整改
95mΩ HS / 69mΩ LS typical R DS(開啟)
峰電流模式架構
嵌入式補償網絡
內部限流
陶瓷輸出電容器兼容
熱停機
申請
高亮度LED驅動
一般照明
鹵素子彈再置術
簽名
...
發表于 10-30 11:06 ?
24次
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oelectronics STSPIN32F0B高級單分流BLDC控制器是一款系統級封裝器件,提供的集成解決方案適用于使用不同驅動模式驅動三相無刷電機。STSPIN32F0B控制器內置三個半橋柵極驅動器,能夠驅動功率MOSFET,電流能力為600mA(拉電流和灌電流)。得益于集成聯鎖功能,不能同時驅動相同半橋的高側和低側開關。
该器件设有内部直流/直流降压转换器,可提供3.3V电压,适合为MCU和外部元件供电。另外,内部LDO线性稳压器可为栅极驱动器提供电源电压。集成运算放大器可用于信号调理,从而在...
發表于 10-30 10:06 ?
32次
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oelectronics STCMB1轉換模式 (TM) PFC包含高電壓雙端控制器、高達800V額定電壓部分以及監視這三塊運行的膠合邏輯。PFC部分采用專有的恒定導通時間控制方法,無需正弦輸入參考。這可減少系統成本和外部零部件數量。
特性
一般特性
SO20W封装
800V高压启动,带集成输入电压检测
有源输入滤波电容放电电路,可降低待机功耗,通过IEC 62368-1和UL Demko认证
适用于两款转换器的独立调试模式
PFC控制器特性
增强型恒定导通时间PFCʌ...
發表于 10-30 10:06 ?
14次
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oelectronics LD39100低噪聲穩壓器最大電流為1A, 輸入電壓范圍為1.5-5.5V,典型壓差為200mV。該器件的輸入和輸出采用陶瓷電容器,具有超低壓差、低靜態電流和低噪聲等特點。這些特性讓LD39100非常適合低功率電池供電應用。電源抑制在低頻率時為70dB,在10kHz時開始滾降。通過使能邏輯控制功能,LD39100可在消耗總電流低于1μA時處于關斷模式。該器件還具有短路恒流限制和熱保護功能。LD39100還提供符合AEC-Q100標準的版本,采用側面可濕的DFN6 (3x3mm) 封裝。
特性
符合AEC-Q100标准
输入电压范围:1.5V至5.5V
超低压差(1A负载时的典型值为200mV)
极低静态电流(无负载时的典型值为20μA,1A负载时的典ࣁ...
發表于 10-30 10:06 ?
20次
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oelectronics L6498高壓半橋驅動器是采用BCD6“離線”技術制造的高壓器件。該驅動器是用于N通道功率MOSFET或IGBT的單芯片半橋柵極驅動器。高側(浮動)截面設計承受高達500V的直流電壓軌,具有600V瞬態耐受電壓。邏輯輸入端兼容CMOS/TTL,低至3.3V,可輕松連接微控制器或DSP等控制單元。
两个器件输出实现灌2.5A和源2A电流,因此L6498特别适合用于中大容量功率MOSFET/IGBT。由于集成联锁功能,所以输出不能同时驱动高位。位于下、上驱动部分的独立UVLO保护电路防止在低效率或...
發表于 10-30 10:06 ?
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oelectronics L6494高壓高/低側2A柵極驅動器是用于N通道功率MOSFET或IGBT的單芯片半橋柵極驅動器。這些高壓器件采用BCD6“離線”技術制造。高側(浮動)截面設計承受高達500V的直流電壓軌,具有600V瞬態耐受電壓。邏輯輸入端兼容CMOS/TTL,低至3.3V,可輕松連接微控制器或DSP等控制單元。
该器件是单输入栅极驱动器,具有可编程死区时间,并设有低电平有效关断引脚。L6494特别适合中、高容量功率MOSFET/IGBT。两个器件输出实现灌2.5A和源2A电流, 位于下、上驱动部分的独立UV...
發表于 10-29 13:06 ?
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